Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Serie
SCT2H12NZ
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud:
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Tensión de diodo directa
4.3V
Altura
21mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 8,003
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 8,003
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 8,003 | € 16,01 |
10 - 18 | € 6,665 | € 13,33 |
20 - 98 | € 6,63 | € 13,26 |
100 - 198 | € 6,554 | € 13,11 |
200+ | € 6,437 | € 12,87 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Serie
SCT2H12NZ
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud:
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Tensión de diodo directa
4.3V
Altura
21mm
Datos del producto