Memoria EEPROM en paralelo R1EV5801MBTDRDI#B0 Renesas Electronics, 1Mbit, 8bit, 32 pines TSOP

Código de producto RS: 124-3670Marca: Renesas ElectronicsNúmero de parte de fabricante: R1EV5801MBTDRDI#B0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Tipo de Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

32

Organización

128 x 8 bits

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Tensión de Programación

2.7 → 5.5V

Número de Bits de Palabra

8bit

Dimensiones

12.4 x 8.2 x 1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

País de Origen

Japan

Datos del producto

PROM eléctricamente borrable (EEPROM) con acceso paralelo, Renesas Electronics

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P.O.A.

Memoria EEPROM en paralelo R1EV5801MBTDRDI#B0 Renesas Electronics, 1Mbit, 8bit, 32 pines TSOP

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1Mbit

Tipo de Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

32

Organización

128 x 8 bits

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Tensión de Programación

2.7 → 5.5V

Número de Bits de Palabra

8bit

Dimensiones

12.4 x 8.2 x 1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

País de Origen

Japan

Datos del producto

PROM eléctricamente borrable (EEPROM) con acceso paralelo, Renesas Electronics