Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsLongitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
1550nm
Encapsulado
TO-8
Función de amplificador
No
Tipo de montaje
Through Hole
Number of Pins
8
Material del Diodo
InGaAs
Mínima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1620nm
Tiempo de Bajada Típico
24ns
Longitud
13.97mm
Altura
6.6mm
Diámetro
15.24mm
Fotosensibilidad de Pico
0.95A/W
Typical Rise Time
24ns
Polarity
Reverse
Series
FCI-InGaAS
Datos del producto
Fotodiodos InGaAs de gran área activa OSI
La serie FCI-InGaAs-xxx-x, de OSI Optoelectronics, son fotodiodos InGaAs de gran área activa. Es una gama de detectores sensibles a infrarrojos que ofrecen responsividad alta (1.100-1.620 nm). Se suministran en encapsulados TO-46 o TO-5 con una ventana plana. Las aplicaciones adecuadas para esta familia de fotodiodos incluye: instrumentación de infrarrojos, control, instrumentación óptica, medida de potencia, detección por infrarrojos y dispositivos médicos.
Características:
Gran área activa: 1 mm, 1,5 mm y 3 mm
Responsividad alta
Bajo ruido
Rango espectral: 900 nm - 1.700 nm
Photodiodes, OSI Optoelectronics
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Mínima Longitud de Onda Detectada
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Máxima Longitud de Onda Detectada
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Tiempo de Bajada Típico
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Altura
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Fotosensibilidad de Pico
0.95A/W
Typical Rise Time
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Reverse
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Fotodiodos InGaAs de gran área activa OSI
La serie FCI-InGaAs-xxx-x, de OSI Optoelectronics, son fotodiodos InGaAs de gran área activa. Es una gama de detectores sensibles a infrarrojos que ofrecen responsividad alta (1.100-1.620 nm). Se suministran en encapsulados TO-46 o TO-5 con una ventana plana. Las aplicaciones adecuadas para esta familia de fotodiodos incluye: instrumentación de infrarrojos, control, instrumentación óptica, medida de potencia, detección por infrarrojos y dispositivos médicos.
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Gran área activa: 1 mm, 1,5 mm y 3 mm
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