Transistor Darlington, ULN2003ADR2G, NPN 500 mA, 50 V, Único, HFE:1000, SOIC, 16 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
50µA
Altura
1.5mm
Ancho
4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-20 °C
Dimensiones
10 x 4 x 1.5mm
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Longitud:
10mm
Corriente de base
25mA
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€ 0,53
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,53 | € 13,26 |
| 100 - 475 | € 0,374 | € 9,36 |
| 500 - 975 | € 0,307 | € 7,69 |
| 1000 - 2475 | € 0,25 | € 6,25 |
| 2500+ | € 0,243 | € 6,07 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
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Single
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
50µA
Altura
1.5mm
Ancho
4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-20 °C
Dimensiones
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