Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
4pF
Dimensiones del Cuerpo
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Altura
0.41mm
Profundidad
0.68mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
1.08mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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50 - 200 | € 0,191 | € 9,56 |
250 - 950 | € 0,092 | € 4,58 |
1000 - 2450 | € 0,075 | € 3,76 |
2500+ | € 0,074 | € 3,70 |
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
4pF
Dimensiones del Cuerpo
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Altura
0.41mm
Profundidad
0.68mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
1.08mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.