Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.9V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 0,034
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,034 | € 102,09 |
9000 - 21000 | € 0,028 | € 84,49 |
24000 - 42000 | € 0,025 | € 73,93 |
45000 - 96000 | € 0,022 | € 66,89 |
99000+ | € 0,021 | € 63,37 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.9V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China