Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
6.6V
Tensión Mínima de Ruptura
6.4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
X2DFN
Tensión de Corte Inversa Máxima
6.3V
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.35mm
Profundidad
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Tensión de trabajo
6.3V
Tensión ESD
8kV
Capacitancia
110pF
Longitud:
1.05mm
País de Origen
China
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
6.6V
Tensión Mínima de Ruptura
6.4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
X2DFN
Tensión de Corte Inversa Máxima
6.3V
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.35mm
Profundidad
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Tensión de trabajo
6.3V
Tensión ESD
8kV
Capacitancia
110pF
Longitud:
1.05mm
País de Origen
China