MOSFET onsemi FCH023N65S3L4, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247-4 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
595 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Longitud
15.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
222 nC a 10 V
Ancho
5.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
22.74mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 16,642
Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)
450
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Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
595 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Longitud
15.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
222 nC a 10 V
Ancho
5.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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