Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
U-DFN1713
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
8
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.35 x 0.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Altura
0.5mm
Profundidad
1.35mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud:
1.7mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Filtro EMI con protección contra descargas electroestáticas, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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€ 0,221
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
U-DFN1713
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
8
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.35 x 0.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Altura
0.5mm
Profundidad
1.35mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud:
1.7mm
País de Origen
Malaysia
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