Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Profundidad
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.9mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Profundidad
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.9mm
País de Origen
Japan
Datos del producto