Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
70 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOT-343
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
9.000 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 2.2 x 1.35mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto
Transistores bipolares RF, NXP
Bipolar Transistors, NXP
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
70 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOT-343
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
9.000 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 2.2 x 1.35mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto