MOSFET IXYS MMIX1T600N04T2, VDSS 40 V, ID 600 A, SMPD de 24 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
600 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
GigaMOS, HiperFET
Tipo de Encapsulado
SMPD
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
24
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
830 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
23.25mm
Longitud
25.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
590 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
5.7mm
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 521,63
€ 26,082 Each (In a Tube of 20) (Sin IVA)
20
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
23.25mm
Longitud
25.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
590 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
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