MOSFET IXYS IXTH110N25T, VDSS 250 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
Trench
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
694 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5.3mm
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
157 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
21.46mm
Datos del producto
MOSFET de potencia Trench-Gate de canal N, IXYS
Tecnología MOSFET Trench Gate
Nivel bajo de resistencia RDS(on)
Resistencia de avalancha superior
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 178,62
€ 5,954 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5.3mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
157 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
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MOSFET de potencia Trench-Gate de canal N, IXYS
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