Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.4V
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Serie
HiperFET
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Disipación de Potencia Máxima
1,79 kW
Profundidad
5.31mm
Longitud:
20.29mm
Altura
26.59mm
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Brand
IXYSResistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Carga Típica de Puerta @ Vgs
340 @ 10 V nC
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€ 37,83
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1 - 4 | € 37,83 |
5 - 9 | € 35,94 |
10+ | € 34,99 |
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Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.4V
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Serie
HiperFET
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Disipación de Potencia Máxima
1,79 kW
Profundidad
5.31mm
Longitud:
20.29mm
Altura
26.59mm
Maximum Continuous Drain Current
90 A
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41 mΩ
Tipo de Encapsulado
PLUS264
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