MOSFET Infineon IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.36mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
9.45mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 7,49 |
| 5 - 9 | € 7,26 |
| 10 - 14 | € 7,13 |
| 15 - 24 | € 6,91 |
| 25+ | € 6,73 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
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Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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