MOSFET Infineon IMW65R048M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines

Código de producto RS: 232-0389Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IMW65R048M1HXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

39 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

CoolSiC

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,064 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.7V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicon

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$ 210,55

$ 7,018 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IMW65R048M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 210,55
60$ 400,05
90$ 562,18
120$ 749,57
150$ 936,96
180$ 1.124,35
210$ 1.311,75
240$ 1.499,14
270$ 1.686,53
300$ 1.873,92
330$ 2.061,32
360$ 2.248,71
390$ 2.436,10
420$ 2.623,49
450$ 2.810,89

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300$ 1.873,92
330$ 2.061,32
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
30 - 30$ 7,018$ 210,55
60 - 60$ 6,668$ 200,03
90+$ 6,246$ 187,39

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Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

39 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

CoolSiC

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,064 Ω

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