Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores NPN de señal pequeña, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto