Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
DMN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
9.01mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Longitud
10.66mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 1,906
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 1,906
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,906 | € 95,31 |
100+ | € 1,788 | € 89,41 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
DMN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
9.01mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Longitud
10.66mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto