Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
407 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1006
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
0.67mm
Largo
1.07mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.48mm
País de Origen
China
€ 492,52
€ 0,049 Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
10000
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
407 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1006
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
0.67mm
Largo
1.07mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.48mm
País de Origen
China