Memoria flash, CFI S29AL008J70BFI020 8Mbit, 1M x 8 bits, 512 K x 16 bits, 70ns, FPBGA, 48 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Mbit
Tipo de Interfaz
CFI
Tipo de Encapsulado
FPBGA
Conteo de Pines
48
Organización
1M x 8 bits, 512 K x 16 bits
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
8.15 x 6.15 x 0.76mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Número de Palabras
1M, 512k
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8, 16
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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P.O.A.
Estándar
10
P.O.A.
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Mbit
Tipo de Interfaz
CFI
Tipo de Encapsulado
FPBGA
Conteo de Pines
48
Organización
1M x 8 bits, 512 K x 16 bits
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
8.15 x 6.15 x 0.76mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Número de Palabras
1M, 512k
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8, 16
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.